201603016_정일모_업무일지_기억장치

 

 

RAM

   : (Random Access Memory)

 

 필요할 경우 Data를 쓰고 지우고 할 수 있는 기억장치

 

•  DRAM(Dynamic RAM)

         초기의 메모리, 저장된 Data를 유지하기 위해서는 일정 시간 간격 Refresh가 필요
         SRAM에 비해  구조가 단순 고밀도, 가격 저렴

 

 

 

•  SRAM(Static RAM)

전원이 나가도 계속해서 저장된 Data를 유지 읽기 쓰기 시간이 DRAM에 비해서 빠르다.
 가격이 비싸다.

• DDR SDRAM

• DDR2 SDRAM

• DDR3  SDRAM

 

 

 

 

 

ROM

 

 

;(Read Only Memory)

저장된 Data를 읽을 수만 있고 쓸(변경할) 수는 없는 Memory

 

⊙ PROM(Programmable ROM, PROM) : 프로그램가능ROM

 

 

 

⊙ EPROM(Erasable Programmable ROM) :소거가능PROM

• 자외선을 이용하여 저장된 Data를 지운다.

• 데이터자 지워지면 모두 0xFF 가 된다.

 

 

⊙ EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) : 전기소거식PROM 

• 전기적인 힘을 이용하여 저장된 Data를 지운다.

 

 

⊙ Flash memory( 플래시메모리)

• Block 단위로 Data를 지울 수 있고, 프로그램 할 수 있는 Memory

• 지속적으로 전원이 공급되는 비 휘발성 Memory

• 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었다

• 디지털 카메라, 휴대전화, 게임기, USB 드라이브- 임베디드 시스템에서 가장 많이 사용

• Block 단위로 쓰기, 지우기가 가능하므로 속도가 빠르다

 

1. NOR Memory

• Cell이 병렬로 연결되어 있으며 RAM 처럼 Address Line과 Data Line을 모두 가질 수 있으며 byte 단위로 Random Access가 가능하게 합니다
• 쓰기와 지우기는 느리지만 읽기가 빠르다

 

 

2..NAND Memory

•  Cell이 직렬로 연결되어 있으며, 작은 단위로는 읽을 수 없고, 한번 읽을 때 1개 page단위로만 읽을 수 있습니다
• NAND형은 읽기는 느리지만 쓰기와 지우기가 빠릅니다

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

⊙ Cache Memory(캐시 메모리)

 

•  CPU와 Memory (DRAM)의 가운데 위치 또는 동일 Chip 내에 위치
•  Access time을 향상하여 시스템 전체의 실행 속도 향상
  
  

 

 

REGISTER

 

 

• 컴퓨터 CPU에 들어있는 소규모 데이터 기억장치 
• 레지스터의 회로는 주로 플립플롭 회로에 많이 연결한 형태

 

 

⊙ GPR(General Purpose Register)

 

 

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하버드 구조

 

복잡하다

여러개의 버스로 다수의 메모리 영역을 사용

가격이 비싸다

 

 

 

 

 

폰노이만 구조(방식)

버스가 단순

한번에 한영역만 접근하기 때문에 비교적 속도가 느림

 

 

폰노이만

• 폰 노이만은 최초의 프로그램 내장형 컴퓨터를 고안한 수학자
– 어떤 프로그램을 기억장치에 집어넣는가에 따라서 수행하는 일도 달라짐
• 그가 고안한 프로그램 내장 방식(또는 폰 노이만 방식)은 50년이 넘은 지금까
지 컴퓨터의 근본 원리
• 인텔과 AMD의 마이크로프로세서도 해당